Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore
Joint Authors
Miftah, A. M.
Miftah, A. F.
Merazga, A.
Source
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
Issue
Vol. 2004, Issue 21 (30 Jun. 2004), pp.55-59, 5 p.
Publisher
Publication Date
2004-06-30
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
5
Main Subjects
Topics
Abstract EN
The energy profile of the density of states over the gap of the a-Si:H is determined jointly by the defect pool model and the Fourier transform of the transient photoconductivity (TPC).
The TPC obtained from numerical simulation is compared with experimental data for the intrinsic and P-doped a-Si:H.
The observed characteristics in the transient photoconductivity curves at various temperatures allow the calculation of the attempt to escape frequency at the mobility edge, the conduction band tail minimum in intrinsic a-Si:H and the donor band peak in doped a-Si:H.
Abstract FRE
Le profil d'énergie de la densité des états le long du gap du a-Si:H est déterminé conjointement par le modèle defect pool (MDP) et la queue de bande de conduction (QBC) calculée par la transformé de Fourier de la photoconductivité transitoire (PCT).
La PCT obtenue par la simulation numérique est comparée avec les données expérimentales pour le cas du a-Si:H intrinsèque et le a-Si:H dopé par le phosphore.
Les caractéristiques observées dans les courbes de la PCT à différentes températures permettent de calculer la fréquence d'émission au bord de la mobilité, le minimum de la queue de la QBC dans le a-Si:H intrinsèque et le pic de la bande des donneur dans le a-Si:H dopé
American Psychological Association (APA)
Miftah, A. F.& Miftah, A. M.& Merazga, A.. 2004. Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2004, no. 21, pp.55-59.
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Modern Language Association (MLA)
Miftah, A. F.…[et al.]. Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 21 (Jun. 2004), pp.55-59.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540933
American Medical Association (AMA)
Miftah, A. F.& Miftah, A. M.& Merazga, A.. Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2004. Vol. 2004, no. 21, pp.55-59.
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Data Type
Journal Articles
Language
French
Notes
Includes bibliographical references : p. 59
Record ID
BIM-540933
