![](/images/graphics-bg.png)
physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition
العناوين الأخرى
الخصائص الفيزيوية لأغشية أوكسيد القصدير النانوية المنماة على قاعدة من الألومينا بطريقة الترسيب بالليزر النبضي
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 32، العدد 5B (31 مايو/أيار 2014)، ص ص. 957-965، 9ص.
الناشر
تاريخ النشر
2014-05-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث تم استعمال ليزر نيدميو ياك النبضي ذو الطول الموجي (532 nm) و يعمل بتقنية عامل النوعية لترسيب أغشية اوكسيد القصدير النانوية على قواعد من الالومينا (0001) و بدرجات حرارية مختلفة (300, 400, 500) °C.
تم مناقشة و تحليل تأثير درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركيبية و البصرية لأغشية اوكسيد القصدير.
أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية أن جميع الأغشية المحضرة ذات تركيب رباعي متعدد التبلور و ذات اتجاهية (101) لكافة النماذج قبل و بعد التلدين.
امتلك الغشاء نفاذية عالية بالمنطقة المرئية بحدود 63-79 % و اعتمدت النفاذية على درجة الحرارة القاعدة.
تراوحت قيمة فجوة الطاقة من 3.61-3.45 Ev لمختلف درجات الحرارة.
تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام المجهر الالكتروني الماسح (SEM) و مجهر القوى الذرية (AFFM) أدت زيادة درجة حرارة القاعدة إلى زيادة كلا من خشونة السطح و الحجم الحبيبي للجسيمات النانوية.
أظهرت نتائج شدة الإضاءة الفوتونية للأغشية المصنعة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي شدة انبعاثية عالية عند درجة حرارة قاعدة 500 مئوي, الانبعاثية الضوئية لأغشية اوكسيد القصدير كانت عند الطول الموجي 602 نانومتر.
الملخص EN
In this paper, the synthesis of nanostructure tin oxide SnO2 thin films on (0001) sapphire substrates using a pulsed 532 nm Nd : YAG laser is presented.
Deposition of films is achieved at three different substrate temperatures 300, 400, 500 ºC.
The influence of substrate temperature on the structural and optical properties of tin oxide films are discussed and analyzed.
We have shown the results of x-ray diffraction that all films prepared with the installation of multi crystalline (tetragonal) and directional prevalent (101) for all modds before and after annealing.
These films are highly transparent (63–79 %) in visible region, and transmittance of the films depends on substrate temperature.
The band gap of the films varies from 3.45 eV to 3.61 eV for various temperatures.
The morphology of deposited films was characterized by scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM), with increasing substrate temperature, both the grain size and surface roughness increase.
We have also investigated the photoluminescence (PL) emission of the simples produced by PLD.
The absorption of very intense PL emission for the films at temperature T = 500 ºC.
The photoluminescence (PL) spectrum of the SnO2 exhibits visible light emission with a peak at 602 nm.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Qasim, Salman Qasim. 2014. physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition. Engineering and Technology Journal،Vol. 32, no. 5B, pp.957-965.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-581312
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Qasim, Salman Qasim. physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition. Engineering and Technology Journal Vol. 32, no. 5B (2014), pp.957-965.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-581312
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Qasim, Salman Qasim. physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition. Engineering and Technology Journal. 2014. Vol. 32, no. 5B, pp.957-965.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-581312
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 964-965
رقم السجل
BIM-581312
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)