physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition
Other Title(s)
الخصائص الفيزيوية لأغشية أوكسيد القصدير النانوية المنماة على قاعدة من الألومينا بطريقة الترسيب بالليزر النبضي
Author
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 32, Issue 5B (31 May. 2014), pp.957-965, 9 p.
Publisher
Publication Date
2014-05-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
9
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم استعمال ليزر نيدميو ياك النبضي ذو الطول الموجي (532 nm) و يعمل بتقنية عامل النوعية لترسيب أغشية اوكسيد القصدير النانوية على قواعد من الالومينا (0001) و بدرجات حرارية مختلفة (300, 400, 500) °C.
تم مناقشة و تحليل تأثير درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركيبية و البصرية لأغشية اوكسيد القصدير.
أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية أن جميع الأغشية المحضرة ذات تركيب رباعي متعدد التبلور و ذات اتجاهية (101) لكافة النماذج قبل و بعد التلدين.
امتلك الغشاء نفاذية عالية بالمنطقة المرئية بحدود 63-79 % و اعتمدت النفاذية على درجة الحرارة القاعدة.
تراوحت قيمة فجوة الطاقة من 3.61-3.45 Ev لمختلف درجات الحرارة.
تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام المجهر الالكتروني الماسح (SEM) و مجهر القوى الذرية (AFFM) أدت زيادة درجة حرارة القاعدة إلى زيادة كلا من خشونة السطح و الحجم الحبيبي للجسيمات النانوية.
أظهرت نتائج شدة الإضاءة الفوتونية للأغشية المصنعة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي شدة انبعاثية عالية عند درجة حرارة قاعدة 500 مئوي, الانبعاثية الضوئية لأغشية اوكسيد القصدير كانت عند الطول الموجي 602 نانومتر.
Abstract EN
In this paper, the synthesis of nanostructure tin oxide SnO2 thin films on (0001) sapphire substrates using a pulsed 532 nm Nd : YAG laser is presented.
Deposition of films is achieved at three different substrate temperatures 300, 400, 500 ºC.
The influence of substrate temperature on the structural and optical properties of tin oxide films are discussed and analyzed.
We have shown the results of x-ray diffraction that all films prepared with the installation of multi crystalline (tetragonal) and directional prevalent (101) for all modds before and after annealing.
These films are highly transparent (63–79 %) in visible region, and transmittance of the films depends on substrate temperature.
The band gap of the films varies from 3.45 eV to 3.61 eV for various temperatures.
The morphology of deposited films was characterized by scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM), with increasing substrate temperature, both the grain size and surface roughness increase.
We have also investigated the photoluminescence (PL) emission of the simples produced by PLD.
The absorption of very intense PL emission for the films at temperature T = 500 ºC.
The photoluminescence (PL) spectrum of the SnO2 exhibits visible light emission with a peak at 602 nm.
American Psychological Association (APA)
Qasim, Salman Qasim. 2014. physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition. Engineering and Technology Journal،Vol. 32, no. 5B, pp.957-965.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-581312
Modern Language Association (MLA)
Qasim, Salman Qasim. physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition. Engineering and Technology Journal Vol. 32, no. 5B (2014), pp.957-965.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-581312
American Medical Association (AMA)
Qasim, Salman Qasim. physical properties of nanostructure Sno2 thin films growth on Al2O3 substrate by pulsed laser deposition. Engineering and Technology Journal. 2014. Vol. 32, no. 5B, pp.957-965.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-581312
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 964-965
Record ID
BIM-581312