Design band energy diagram of SnO2 CdS-CdTe thin film heterojunction using I-V an d C-V measurements
العناوين الأخرى
رسم مخطط الطاقة لمفرق الهجين للغشاء SnO2 CdS-CdTe الرقيق باستخدام قياسات تيار-جهد وسعة- جهد
المؤلفون المشاركون
Razzuqi, Muhammad A.
Said, Nada Muhammad
Abd Allah, Rasha Abbas
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 32، العدد 3B(s) (31 مارس/آذار 2014)، ص ص. 607-614، 8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2014-03-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
SnO2/CdS-CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique, 0.05 μm thicknesses of SnO2 nanostructure was evaporated as thin layer to be used as an antireflection and as transparent conducting oxide.
The prepared cell has been annealed at 573K for 180 minutes.
The general morphology of SnO2 films was imaged by using Atomic Force Microscope (AFM), the image shows that the average grain size of the prepared film is constructed from nanostructure of dimensions in order of 72 nm.
There are two wide peaks were presents at the x-ray pattern which were refers to SnO2 and is in agreement with the literature of American Standard of Testing Materials (ASTM).
The capacitance- voltage a measurement has studied at 102 Hz frequency, the capacitance- voltage measurements indicated that these cells are abrupt.
The capacitance at zero bias, built in voltage, zero bias depletion region width and the carrier concentration have been calculated.
The carrier transport mechanism for SnO2 / CdS-CdTe heterojunction in dark is tunneling-recombination.
The value of ideality factor is 1.56 and the reverse saturation current is 9.6×10-10A.
Band energy lineup for SnO2 / n-CdS-p-CdTe heterojunction has been investigated by using I-V and C-V measurements.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Abd Allah, Rasha Abbas& Said, Nada Muhammad& Razzuqi, Muhammad A.. 2014. Design band energy diagram of SnO2 CdS-CdTe thin film heterojunction using I-V an d C-V measurements. Engineering and Technology Journal،Vol. 32, no. 3B(s), pp.607-614.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-628520
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Abd Allah, Rasha Abbas…[et al.]. Design band energy diagram of SnO2 CdS-CdTe thin film heterojunction using I-V an d C-V measurements. Engineering and Technology Journal Vol. 32, no. 3B(s) (2014), pp.607-614.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-628520
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Abd Allah, Rasha Abbas& Said, Nada Muhammad& Razzuqi, Muhammad A.. Design band energy diagram of SnO2 CdS-CdTe thin film heterojunction using I-V an d C-V measurements. Engineering and Technology Journal. 2014. Vol. 32, no. 3B(s), pp.607-614.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-628520
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 614
رقم السجل
BIM-628520
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر