Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure
العناوين الأخرى
تحسين تيار دائرة القصر لخلايا السيليكون المطعم بالانديوم
العنوان الموازي
تحسين تيار دائرة القصر لخلايا السيليكون المطعم بالانديوم
المؤلف
المصدر
Arab Journal of Basic and Applied Sciences
العدد
المجلد 2، العدد 0 (30 يونيو/حزيران 2006)، ص ص. 25-32، 8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2006-06-30
دولة النشر
البحرين
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الموضوعات
الملخص AR
تتطلب الخلايا الشمسية السيلكونية مواصفات معينة من حيث نوعية المواد المستخدمة و طريقة التحضير و التصميم.
أن جسم الخلية يجب أن يكون خاليا من الشوائب و التشوهات.
و لغرض زيادة كفاءة التحويل و الحصول على أعلى تيار ممكن من هذه الخلايا فأن بعض الشوائب المقننة و منها الانديوم تضاف بنسب معينة إلى خلايا السيلكون الشمسية.
في هذا البحث تم تحضير عدة نماذج من الخلايا الشمسية و قد تم تغيير نسبة تطعيم الانديوم و كذلك درجات حرارة التحضير.
و قد تم إجراء حسابات نظرية و عملية لقياس كمية تيار دائرة القمر للنماذج المحضرة و لفولتيات انحياز أمامية و عكسية.
لقد وجد نظريا بأن أعلى تيار لدائرة القصر هو بحدود 5.25 ملي أمبير في تركيز (1017 0.5 ×) لكل سم3 أنديوم.
أما عمليا فقد وجد بأن أعلى تيار يمكن الحصول عليه من هذه النماذج هو 2.3 ملي أمبير و ذلك عند ترسيب أنديوم بسمك 5001 أنكستروم و تلدين الخلية في درجة حرارة 0011 درجة مئوية و لمدة ساعة واحدة.
كذلك وجد من منحني التيار-الفولتية بأن هذا النموذج يمتلك ثنية في الفولتية عند القيمة 0.8 فولت و عامل مثالية مقداره 6.1.
كذلك أثبتت القياسات النظرية و العملية بأن أعلى تيار يتم الحصول عليه عندما تكون الفولتية المسلطة على طرفي الخلية صفرا.
الملخص EN
Theoretical and practical calculations of short circuit currents of In-doped Silicon (n) structure have been calculated.
Theoretically maximum value of generated current was 5.25 in A at 0.5x10 cm" indium concentrations.
Practically the ideal I-V characteristic of the structure is obtained with indium thickness of 1500 °A annealed at 1100 °Cfor an hour.
This structure has a knee voltage at 0.8 Vwith very small value of reverse saturation current and 1.6 ideality factor.
The maximum photogenerated current about 2.3 mA is obtained at 0.396x10 ' cm' of indium concentration.
Theoretical and practical results agree that the maximum photo generated current occurs at zero cell output voltage.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Muhammad, Wagah Farman. 2006. Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure. Arab Journal of Basic and Applied Sciences،Vol. 2, no. 0, pp.25-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-64240
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Muhammad, Wagah Farman. Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure. Arab Journal of Basic and Applied Sciences Vol. 2 (Jun. 2006), pp.25-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-64240
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Muhammad, Wagah Farman. Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure. Arab Journal of Basic and Applied Sciences. 2006. Vol. 2, no. 0, pp.25-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-64240
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 31
رقم السجل
BIM-64240
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر