Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure
Other Title(s)
تحسين تيار دائرة القصر لخلايا السيليكون المطعم بالانديوم
Parallel Title
تحسين تيار دائرة القصر لخلايا السيليكون المطعم بالانديوم
Author
Source
Arab Journal of Basic and Applied Sciences
Issue
Vol. 2, Issue 0 (30 Jun. 2006), pp.25-32, 8 p.
Publisher
University of Bahrain College of Science
Publication Date
2006-06-30
Country of Publication
Bahrain
No. of Pages
8
Main Subjects
Engineering & Technology Sciences (Multidisciplinary)
Topics
Abstract AR
تتطلب الخلايا الشمسية السيلكونية مواصفات معينة من حيث نوعية المواد المستخدمة و طريقة التحضير و التصميم.
أن جسم الخلية يجب أن يكون خاليا من الشوائب و التشوهات.
و لغرض زيادة كفاءة التحويل و الحصول على أعلى تيار ممكن من هذه الخلايا فأن بعض الشوائب المقننة و منها الانديوم تضاف بنسب معينة إلى خلايا السيلكون الشمسية.
في هذا البحث تم تحضير عدة نماذج من الخلايا الشمسية و قد تم تغيير نسبة تطعيم الانديوم و كذلك درجات حرارة التحضير.
و قد تم إجراء حسابات نظرية و عملية لقياس كمية تيار دائرة القمر للنماذج المحضرة و لفولتيات انحياز أمامية و عكسية.
لقد وجد نظريا بأن أعلى تيار لدائرة القصر هو بحدود 5.25 ملي أمبير في تركيز (1017 0.5 ×) لكل سم3 أنديوم.
أما عمليا فقد وجد بأن أعلى تيار يمكن الحصول عليه من هذه النماذج هو 2.3 ملي أمبير و ذلك عند ترسيب أنديوم بسمك 5001 أنكستروم و تلدين الخلية في درجة حرارة 0011 درجة مئوية و لمدة ساعة واحدة.
كذلك وجد من منحني التيار-الفولتية بأن هذا النموذج يمتلك ثنية في الفولتية عند القيمة 0.8 فولت و عامل مثالية مقداره 6.1.
كذلك أثبتت القياسات النظرية و العملية بأن أعلى تيار يتم الحصول عليه عندما تكون الفولتية المسلطة على طرفي الخلية صفرا.
Abstract EN
Theoretical and practical calculations of short circuit currents of In-doped Silicon (n) structure have been calculated.
Theoretically maximum value of generated current was 5.25 in A at 0.5x10 cm" indium concentrations.
Practically the ideal I-V characteristic of the structure is obtained with indium thickness of 1500 °A annealed at 1100 °Cfor an hour.
This structure has a knee voltage at 0.8 Vwith very small value of reverse saturation current and 1.6 ideality factor.
The maximum photogenerated current about 2.3 mA is obtained at 0.396x10 ' cm' of indium concentration.
Theoretical and practical results agree that the maximum photo generated current occurs at zero cell output voltage.
American Psychological Association (APA)
Muhammad, Wagah Farman. 2006. Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure. Arab Journal of Basic and Applied Sciences،Vol. 2, no. 0, pp.25-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-64240
Modern Language Association (MLA)
Muhammad, Wagah Farman. Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure. Arab Journal of Basic and Applied Sciences Vol. 2 (Jun. 2006), pp.25-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-64240
American Medical Association (AMA)
Muhammad, Wagah Farman. Short circuit currents improvement of in -doped silicon (n) structure. Arab Journal of Basic and Applied Sciences. 2006. Vol. 2, no. 0, pp.25-32.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-64240
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 31
Record ID
BIM-64240
