The effect of current density on the structures and photoluminescence of n-type porous silicon
العناوين الأخرى
تأثير كثافة التيار على الخصائص التركيبية و طيف اللمعان الضوئي للسيليكون المسامي من النوع n
المؤلفون المشاركون
Salih, Manal Ali
Abbas, Nada Khudayr
Ibrahim, Isam Muhammad
المصدر
العدد
المجلد 15، العدد 34 (31 ديسمبر/كانون الأول 2017)، ص ص. 15-28، 14ص.
الناشر
تاريخ النشر
2017-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
14
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Porous silicon (PS) layers were formed on n-type silicon (Si) wafers using Photo- electrochemical Etching technique (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111).
The effects of current density were investigated at: (10, 20, 30, 40, and50) mA/cm2 with etching time: 10min.
X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon.
The maximum crystal size of Porous Silicon is (33.9nm) and minimum is (2.6nm) The Atomic force microscopy (AFM) analysis and Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM) were used to study the morphology of porous silicon layer.
AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased and FESEM showed that a homogeneous pattern and confirms the formation of uniform porous silicon.
The chemical bonding and structure were investigated by using Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR).
The band gap of the samples obtained from photoluminescence (PL).
These results showed that the band gap of porous silicon increase with increasing porosity.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Abbas, Nada Khudayr& Ibrahim, Isam Muhammad& Salih, Manal Ali. 2017. The effect of current density on the structures and photoluminescence of n-type porous silicon. Iraqi Journal of Physics،Vol. 15, no. 34, pp.15-28.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-754724
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Abbas, Nada Khudayr…[et al.]. The effect of current density on the structures and photoluminescence of n-type porous silicon. Iraqi Journal of Physics Vol. 15, no. 34 (2017), pp.15-28.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-754724
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Abbas, Nada Khudayr& Ibrahim, Isam Muhammad& Salih, Manal Ali. The effect of current density on the structures and photoluminescence of n-type porous silicon. Iraqi Journal of Physics. 2017. Vol. 15, no. 34, pp.15-28.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-754724
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 27-28
رقم السجل
BIM-754724
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر