In-depth simulation analysis of the SI-sio2 interface traps by the charge pumping
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2015، العدد 10 (30 يونيو/حزيران 2015)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
المركز الجامعي أمين العقال الحاج موسى أق أخموك لتامنغست
تاريخ النشر
2015-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
العلوم الطبيعية والحياتية (متداخلة التخصصات)
الملخص EN
The purpose of this work is to contribute to a better electrical characterization of the Silicon-Oxide interface By the Three level charge pmping.
The introduction of a third voltage level in the gate pulse gives access to the same parameters as the two charge pumping but requires less simplifying assumptions.
We show that the three charge pumping and its variants are powerful tools to determine the Dit (E) and Q(E) distribution.
The simulated results are in a good agreement with recent and different experimental results.
-
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Sellami, M.& Sellami, A.. 2015. In-depth simulation analysis of the SI-sio2 interface traps by the charge pumping. Revue Afak Ilmia،Vol. 2015, no. 10, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-765722
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Sellami, M.& Sellami, A.. In-depth simulation analysis of the SI-sio2 interface traps by the charge pumping. Revue Afak Ilmia No. 10 (Jun. 2015), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-765722
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Sellami, M.& Sellami, A.. In-depth simulation analysis of the SI-sio2 interface traps by the charge pumping. Revue Afak Ilmia. 2015. Vol. 2015, no. 10, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-765722
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 8-9
رقم السجل
BIM-765722
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر