Simple experimental method for estimating B and gap in silicon

العناوين الأخرى

طريقة تجريبية بسيطة لتقدير عرض فجوة الطاقة في السيليكون

المؤلف

Nur al-Din, Salah al-Din

المصدر

Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Engineering Sciences Series

العدد

المجلد 39، العدد 3 (30 يونيو/حزيران 2017)، ص ص. 509-517، 9ص.

الناشر

جامعة تشرين

تاريخ النشر

2017-06-30

دولة النشر

سوريا

عدد الصفحات

9

التخصصات الرئيسية

تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب

الملخص EN

In this work, energy band gap is estimated by passing small forward current through silicon junction diode.

The junction voltage variation is studied versus temperature at constant current, and the T-V curve is drawn.

From temperature – voltage curve, energy gap is determined.

The temperature dependence of has been studied, too.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Nur al-Din, Salah al-Din. 2017. Simple experimental method for estimating B and gap in silicon. Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Engineering Sciences Series،Vol. 39, no. 3, pp.509-517.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-847522

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Nur al-Din, Salah al-Din. Simple experimental method for estimating B and gap in silicon. Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Engineering Sciences Series Vol. 39, no. 3 (2017), pp.509-517.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-847522

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Nur al-Din, Salah al-Din. Simple experimental method for estimating B and gap in silicon. Tishreen University Journal for Research and Scientific Studies : Engineering Sciences Series. 2017. Vol. 39, no. 3, pp.509-517.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-847522

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

رقم السجل

BIM-847522