MOSFETs modeling using artificial neural network

المؤلفون المشاركون

Fridja, D.
Bella Baci, A.
al-Duri, Y.

المصدر

Journal of New Technology and Materials

العدد

المجلد 8، العدد 2 (30 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 55-58، 4ص.

الناشر

جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي

تاريخ النشر

2018-12-30

دولة النشر

الجزائر

عدد الصفحات

4

التخصصات الرئيسية

تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب

الملخص EN

The invention of the transistor in 1948 launched a real technological revolution that continues today there are two families of transistors responding to different operating principles: the bipolar transistors invented in 1984.

But they are considered as an old technology.

A type of transistors derived the field effect transistors (MOSFET), dominate today and more useful than the bipolar.

The current technology needs an intelligence technique, modeling of electronic components by artificial neural network.

Our work within this framework, as it presents to us a first step in exploiting the principles fantastic techniques of artificial intelligence in the field of modeling and simulation of electronic components such as MOSFETs

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Salmiyah, M.& Fridja, D.& Bella Baci, A.& al-Duri, Y.. 2018. MOSFETs modeling using artificial neural network. Journal of New Technology and Materials،Vol. 8, no. 2, pp.55-58.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-874081

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Fridja, D.…[et al.]. MOSFETs modeling using artificial neural network. Journal of New Technology and Materials Vol. 8, no. 2 (2018), pp.55-58.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-874081

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Salmiyah, M.& Fridja, D.& Bella Baci, A.& al-Duri, Y.. MOSFETs modeling using artificial neural network. Journal of New Technology and Materials. 2018. Vol. 8, no. 2, pp.55-58.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-874081

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 58

رقم السجل

BIM-874081