Study of AlGaN GaN MOS-HEMTs with TiO2 gate dielectric and regrown source drain
المؤلفون المشاركون
Touati, Z.
Hamaizia, Z.
Messai, Z.
المصدر
Journal of New Technology and Materials
العدد
المجلد 8، العدد 2 (30 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 16-23، 8ص.
الناشر
جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي
تاريخ النشر
2018-12-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب
الملخص EN
In this work, we proposed a novel TiO2/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor model (MOS-HEMT) with 60 nm gate-length and high-k TiO2 gate dielectric.
The DC and RF characteristics of the proposed AlGaN/GaN MOS-HEMT structure were obtained using the TCAD Silvaco Software.
It showsa maximum extrinsic transconductance of 198.3 mS/mm, a saturated drain-current density at VGS = 4 V of 668.4 mA/mm, with a maximum of 677.9 mA/mm, a unity-gain cut-off frequency of 229.8 GHz, and an impressive maximum oscillation frequency of 627.8 GHz.
Characterized at 10 GHz, the power performance of the proposed device showsan output power of 22.3 dBm, a power gain of 13.1 dB, and a power-added efficiency of 26.5%.The obtained simulated results are very encouraging while compared to existing AlGaN/GaN MOS-HEMTs.
This is, in fact, the best TiO2/AlGaN/GaN MOS-HEMT simulated high-frequency performance reported so far, making it suitable for high-power RF circuit applications
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Touati, Z.& Hamaizia, Z.& Messai, Z.. 2018. Study of AlGaN GaN MOS-HEMTs with TiO2 gate dielectric and regrown source drain. Journal of New Technology and Materials،Vol. 8, no. 2, pp.16-23.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-874082
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Touati, Z.…[et al.]. Study of AlGaN GaN MOS-HEMTs with TiO2 gate dielectric and regrown source drain. Journal of New Technology and Materials Vol. 8, no. 2 (2018), pp.16-23.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-874082
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Touati, Z.& Hamaizia, Z.& Messai, Z.. Study of AlGaN GaN MOS-HEMTs with TiO2 gate dielectric and regrown source drain. Journal of New Technology and Materials. 2018. Vol. 8, no. 2, pp.16-23.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-874082
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 22-23
رقم السجل
BIM-874082
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر