Study of dielectric properties for porous silicon prepared by anodization
العناوين الأخرى
دراسة الخواص العزلية للسيلكون المسامي المحضر بالأنؤدة
المؤلف
المصدر
العدد
المجلد 13، العدد 4 (31 ديسمبر/كانون الأول 2018)، ص ص. 40-55، 16ص.
الناشر
جامعة ذي قار قسم البحث و التطوير
تاريخ النشر
2018-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
16
التخصصات الرئيسية
العلوم الطبيعية والحياتية (متداخلة التخصصات)
الملخص EN
The nanostructure for porous silicon (PS) films is produced by anodization of p-type silicon chip with current consistency (15 mA/cm2 ), etching time about 10 min and HF concentration (32%) to the formation nanosized pore order with a dimension of around few hundreds nanometric.
The films were featured by the measurement of atomic force microscopy (AFM) in the Baghdad university, X-Ray diffraction (XRD) and FTIR spectroscopy characteristics in the technological university.
I am having appraising crystallites size from XRD about nanoscale for porous silicon and AFM proves the nanometric size.
Chemical fictionalizations through the electrochemical etching clear on superficies chemical structure of PS.
The etching possess disproportionate microstructures that include Si-H clusters in (Si3-SiH), sparse in amorphous silica matrix and Si-H2 scissor mode.
From the FTIR testing appeared that the Si suspending bonds of the as- produced PS layer have massive quantities of Hydrogen to form weak Si–H bonds related to Si–H stretch (Si3-SiH) and Si-H stretch (Si2-SiH).
The AC electrical properties were measured with LCR meter analyzer the frequency between 50 Hz and 5 MHz.
for capacitance, dielectric and loss tangent (tan δD) to balk silicon and porous silicon have been done in the ministry of science and technology.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Abd al-Aziz, Salah M.. 2018. Study of dielectric properties for porous silicon prepared by anodization. University of Thi-Qar Journal،Vol. 13, no. 4, pp.40-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-875221
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Abd al-Aziz, Salah M.. Study of dielectric properties for porous silicon prepared by anodization. University of Thi-Qar Journal Vol. 13, no. 4 (Dec. 2018), pp.40-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-875221
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Abd al-Aziz, Salah M.. Study of dielectric properties for porous silicon prepared by anodization. University of Thi-Qar Journal. 2018. Vol. 13, no. 4, pp.40-55.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-875221
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 53-55
رقم السجل
BIM-875221
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر