الرئيسية نتائج البحث

Preparation of silicon nano-structure by laser-induced etching process

العناوين الأخرى

تحضير السيلكون النانوي التركيب باستخدام عملية القشط المحتثة بالليزر

المؤلف

Abbas, Adi Arkan

المصدر

Journal of Kufa-Physics

الناشر

جامعة الكوفة كلية العلوم قسم الفيزياء

تاريخ النشر

2009-03-31

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

7

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الملخص الإنجليزي

Silicon nano-structure has been prepared in this work via Laser-induced etching process (LIE) on n-type silicon wafer (3 Ω.cm resistivity) in hydrofluoric acid (HF) (24.5 % concentration) at different etching times (5 – 25 min.).

The irradiation has been achieved using laser beam of 2W power and 810 nm wavelength.

The morphological and photoluminescence characteristics of these material such as porosity, surface morphology and nanocrystallite size have been investigated using scanning electron microscope (SEM), photoluminescence (PL) measurements, and the gravimetric method.

نوع البيانات

أوراق مؤتمرات

رقم السجل

BIM-884622

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Abbas, Adi Arkan. 2009-03-31. Preparation of silicon nano-structure by laser-induced etching process. Conference of Pure and Applied Sciences (2nd : 2009 : University of Kufa, Iraq). . Vol. 1, no. 1 (Special issue) (2009), pp.54-60.Najaf Iraq : University of Kufa Faculty of Science Department of Physics.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-884622

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Abbas, Adi Arkan. Preparation of silicon nano-structure by laser-induced etching process. . Najaf Iraq : University of Kufa Faculty of Science Department of Physics. 2009-03-31.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-884622

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Abbas, Adi Arkan. Preparation of silicon nano-structure by laser-induced etching process. . Conference of Pure and Applied Sciences (2nd : 2009 : University of Kufa, Iraq).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-884622

حفظتم الحفظ طباعة
© 2024 عالم المعرفة للمحتوى الرقمي. جميع الحقوق محفوظة.