Photoluminescence behavior of Cu2+xZn1-xSnS4 thin films by SILAR method

المؤلفون المشاركون

Henry, J.
Mohanraj, K.
Sivakumar, G. Ch. V.

المصدر

Jordan Journal of Physics

العدد

المجلد 11، العدد 2 (31 أغسطس/آب 2018)، ص ص. 101-105، 5ص.

الناشر

جامعة اليرموك عمادة البحث العلمي و الدراسات العليا

تاريخ النشر

2018-08-31

دولة النشر

الأردن

عدد الصفحات

5

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الملخص EN

Cu2ZnSnS4 thin films were deposited on a glass substrate by chemical method.

The XRD pattern confirms the formation of tetragonal structure CZTS and peak shift is noticed for Cu doping.

The absorption coefficient is in the order of 104cm-1 and the band gap is found to be about 1.9 eV – 1.75 eV.

The PL spectra show red shift for higher Cu doping concentrations.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Henry, J.& Mohanraj, K.& Sivakumar, G. Ch. V.. 2018. Photoluminescence behavior of Cu2+xZn1-xSnS4 thin films by SILAR method. Jordan Journal of Physics،Vol. 11, no. 2, pp.101-105.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-936557

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Henry, J.…[et al.]. Photoluminescence behavior of Cu2+xZn1-xSnS4 thin films by SILAR method. Jordan Journal of Physics Vol. 11, no. 2 (2018), pp.101-105.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-936557

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Henry, J.& Mohanraj, K.& Sivakumar, G. Ch. V.. Photoluminescence behavior of Cu2+xZn1-xSnS4 thin films by SILAR method. Jordan Journal of Physics. 2018. Vol. 11, no. 2, pp.101-105.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-936557

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

رقم السجل

BIM-936557