Study of interface trapped charges effect on performance of junction less trial material cylindrical surrounding-gate MOSFETs
المؤلفون المشاركون
Lagraf, F.
Rechem, D.
Guergouri, K.
المصدر
Journal of New Technology and Materials
العدد
المجلد 9، العدد 1 (30 يونيو/حزيران 2019)، ص ص. 52-58، 7ص.
الناشر
جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي
تاريخ النشر
2019-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
Interface trapped charges effect on the performance of Junction Less-Trial Material Cylindrical Surrounding-gate MOSFETs (JLTMCSG-MOSFETs) has been studied.
An analytical model has been used for this purpose, it is based on solving the two-dimensional Poisson’s equation in cylindrical coordinates.
The device performance has been investigated as a function of surface potential, electrical field, drain induced barrier lowering (DIBL), subthreshold Slope (SS) and threshold voltage (Vth).
The obtained results show that the performance of the device was improved when using the trial material gate with different work functions and interface trapped charges.
This study confirms that the analytical model used is useful not only for circuit simulations, but also for device design and optimizatio
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lagraf, F.& Rechem, D.& Guergouri, K.. 2019. Study of interface trapped charges effect on performance of junction less trial material cylindrical surrounding-gate MOSFETs. Journal of New Technology and Materials،Vol. 9, no. 1, pp.52-58.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-939064
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lagraf, F.…[et al.]. Study of interface trapped charges effect on performance of junction less trial material cylindrical surrounding-gate MOSFETs. Journal of New Technology and Materials Vol. 9, no. 1 (2019), pp.52-58.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-939064
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lagraf, F.& Rechem, D.& Guergouri, K.. Study of interface trapped charges effect on performance of junction less trial material cylindrical surrounding-gate MOSFETs. Journal of New Technology and Materials. 2019. Vol. 9, no. 1, pp.52-58.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-939064
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 57-58
رقم السجل
BIM-939064
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر