Study of High Quality Indium Nitride Films Grown on Si(100) Substrate by RF-MOMBE with GZO and AlN Buffer Layers
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-12-18
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Wurtzite structure InN films were prepared on Si(100) substrates using radio-frequency metal-organic molecular beam epitaxy (RF-MOMBE) system.
Ga-doped ZnO (GZO) and Amorphous AlN (a-AlN) film were used as buffer layers for InN films growth.
Structural, surface morphology and optical properties of InN films were investigated by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), transmission electron microscopy (TEM), and photoluminescence (PL).
XRD results indicated that all InN films exhibited preferred growth orientation along the c-axis with different intermediate buffers.
TEM images exhibit the InN/GZO growth by two-dimensional mode and thickness about 900 nm.
Also, the InN films can be obtained by growth rate about ~1.8 μm/h.
Optical properties indicated that the band gap of InN/GZO is about 0.79 eV.
These results indicate that the control of buffer layer is essential for engineering the growth of InN on silicon wafer.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chen, Wei-Chun& Kuo, Shou-Yi. 2012. Study of High Quality Indium Nitride Films Grown on Si(100) Substrate by RF-MOMBE with GZO and AlN Buffer Layers. Journal of Nanomaterials،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-998562
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chen, Wei-Chun& Kuo, Shou-Yi. Study of High Quality Indium Nitride Films Grown on Si(100) Substrate by RF-MOMBE with GZO and AlN Buffer Layers. Journal of Nanomaterials No. 2012 (2012), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-998562
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chen, Wei-Chun& Kuo, Shou-Yi. Study of High Quality Indium Nitride Films Grown on Si(100) Substrate by RF-MOMBE with GZO and AlN Buffer Layers. Journal of Nanomaterials. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-998562
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-998562
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر