A numerical model to determine the diffusion length by EBIC method : study of Si case
Joint Authors
Source
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
Issue
Vol. 2006, Issue 24 (31 Dec. 2006), pp.21-24, 4 p.
Publisher
Publication Date
2006-12-31
Country of Publication
Algeria
No. of Pages
4
Main Subjects
Topics
Abstract AR
يعتبر السيليكون من المواد الصلبة الهامة و المستعملة في صناعة الخلايا الشمسية, و بالتالي فإن دراسة و تحليل خصائص أشباه الموصلات بواسطة التقنيات المعتمدة على القذف الإلكتروني مثل تقنية التيار المحرض بواسطة الحزمة الإلكترونية و تقنية التألق المهبطي, تعتبر ذات أهمية كبرى.
في الوقت الحالي تعتبر طريقة مونتي كارلو أحسن وسيلة لأجل محاكاة الحركة العشوائية للإلكترونات المتغلغلة داخل المادة و بالتالي تحديد طول الانتشار.
في هذه المقالة نقترح طريقة حساب جديدة تعتمد على طريقة مونتي كارلو لتحديد عمق الإلكترونات المتغلغلة و صرف طاقتها داخل مادة السيليكون.
النتائج المتحصل عليها تمت مقارنتها مع نماذج تحليلية سابقة و تبين أن هناك تطابق جيد معها و خصوصا من أجل طاقات التسريع الضعيفة
Abstract EN
Silicon is a very important material used in solar cells fabrication.
The characterization of semiconductors by a scanning electron microscopy (SEM) using techniques like electron beam induced current (EBIC) and cathodoluminescence (CL) is of great interest.
Nowadays Monte Carlo (MC) method becomes a very important tool to simulate the diffusion length.
In this work, we propose a new Monte Carlo calculation of electron depth and energy dissipation in silicon.
Our results are compared with other analytical analysis.
Concerning the electron depth, there is a good agreement with other models, in particular at low beam energy.
American Psychological Association (APA)
Elateche, Z.& Nouiri, A.. 2006. A numerical model to determine the diffusion length by EBIC method : study of Si case. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2006, no. 24, pp.21-24.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-277986
Modern Language Association (MLA)
Elateche, Z.& Nouiri, A.. A numerical model to determine the diffusion length by EBIC method : study of Si case. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 24 (2006), pp.21-24.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-277986
American Medical Association (AMA)
Elateche, Z.& Nouiri, A.. A numerical model to determine the diffusion length by EBIC method : study of Si case. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2006. Vol. 2006, no. 24, pp.21-24.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-277986
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 24
Record ID
BIM-277986
