Reactive ion etching (RIE) for micro and nanogap fabrication
Other Title(s)
تقنية الحفر الجاف في تصنع المايكرو (نانو) فجوة
Joint Authors
Dahahi, Th. S.
Hashim, U.
Ahmad, N. M.
Source
Journal of Basrah Researches : Sciences
Issue
Vol. 37, Issue 2A (30 Apr. 2011), pp.11-20, 10 p.
Publisher
University of Basrah College of Education for Pure Sciences
Publication Date
2011-04-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
10
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في العقدين الماضيين احتلت مجالات البايولوجي و الطب أهميه عظيمه في تطوير علوم حساسية البايو و رقائقه عن طريـق تشخيص و تحديد نوع جزيئاتها.
لفهم العلاقة الوطيدة و المهمة ما بين علم حساسية البايو و علم تصنيع أجهزه بتقنية النانو و المايكرومتر، أعددنا هذا البحث في تصنيع جهاز بقياسات المايكرو (النانومتر) باستخدام واحده من العمليات المهمة في هذا المجال و هي تقنية الحفر الجاف باستخدام جهاز الحفر الفعال حيث طور الأخير و حددت البارامترات المستخدمة فيه لتتم عملية الحفر بصورة دقيقة و على أحسن وجه.
بولي سيليكون هي المادة المستخدمة في عملية تصنيع تركيب المايكرو (نانو) فجوة، و الذهب في عملية تصنيع الاقطاب.
عملية التصنيع و الطرق التحضير في هذا العمل نوقشت بتسلسل دقيق في فقرة النتائج و المناقشة.
في هذه الدراسة تم اقتراح ماسكين اثنين حيث يستخدم الأول في تصنيع تركيب المايكر (نانو) فجوة الأفقية، و الآخر في تصنيع الأقطاب الذهبيه للجهاز.
مبدئي الفوتوليثوغرافي و الحفر الجاف يستخدمان في تصنيع التركيب أعلاه مبني على أساس تقنية .CMOS كنتيجة، نحتاج لترسيب طبقة من الألمنيوم فوق طبقة البولي سيليكون لحماية الأخير أثناء عملية الحفر الجاف باستخدام IC-RIE، و بالتالي تستخدم الألمنيوم كطبقة حماية لتركيب البولي سيليكون.
إن الوقت المطلوب لحفر من طبقة البولي سيليكون تماما باستخدام لتصنيع جهاز المايكرو (نانو) فجوة تقريبا يحتاج إلى زمـن مقداره، حيث أن هذه النتائج هي أفظل بكثير فيما لو استخدمت عملية الحفر الرطب بدلا من تقنية الحفر الجاف IC- Sec 40 µ1m RIE.
Abstract EN
To understand the important relationship between the biosensor and micro and nanostructures we introduce this proposal about the fabrication of micro and nanostructure by using one of the most important dry etching processes in micro and nanostructures, reactive ion etching (IC-RIE) has been applied and developed as a method for etching micro and nanogap semiconductors.
PolySi material is used to fabricate micro and nanogap structure and gold as electrodes.
The fabrication and preparation methods to fabricate micro and nanogaps using RIE properties are discussed along with their advantages towards the nanotechnology and biodetection.
In this study, 2 masks design are proposed.
The first mask is the lateral micro and nanogap and the second mask is for gold pad electrode pattern.
Lateral micro and nanogaps are introduced in the fabrication process using polysilicon and gold as an electrode.
Conventional photolithography and dry etching techniques are used to fabricate this micro and nanogaps based on the standard CMOS technology.
As a result we need to deposit Al layer over the polysilicon semiconductor before coating a photoresist to protect the polysilicon layer during the etching (IC-RIE) for using the Al material as a hard mask.
The requirement time to etch 1μm polysilicon layer completely by using IC-RIE to fabricate the micro and nanogap structure it takes approximately 40sec.
These results are better than those using wet anisotropic etching techniques.
American Psychological Association (APA)
Dahahi, Th. S.& Hashim, U.& Ahmad, N. M.. 2011. Reactive ion etching (RIE) for micro and nanogap fabrication. Journal of Basrah Researches : Sciences،Vol. 37, no. 2A, pp.11-20.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286786
Modern Language Association (MLA)
Dahahi, Th. S.…[et al.]. Reactive ion etching (RIE) for micro and nanogap fabrication. Journal of Basrah Researches : Sciences Vol. 37, no. 2A (Apr. 2011), pp.11-20.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286786
American Medical Association (AMA)
Dahahi, Th. S.& Hashim, U.& Ahmad, N. M.. Reactive ion etching (RIE) for micro and nanogap fabrication. Journal of Basrah Researches : Sciences. 2011. Vol. 37, no. 2A, pp.11-20.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-286786
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 18-20
Record ID
BIM-286786