Construction of anisotype CdS Si heterojunction and lineup using I-V and C-V measurements
Other Title(s)
بناء المخطط الطاقي للمفرق الهجين نوع CdS Si غير المتماثل باستخدام قياسات تيار-جهد و سعة-جهد
Joint Authors
Ismail, Raid Ali
al-Samirrai, Abd al-Majid Ayyadah
Sultan, Umar A. A.
Source
Issue
Vol. 7, Issue 10 (30 Sep. 2009), pp.30-34, 5 p.
Publisher
University of Baghdad College of Science
Publication Date
2009-09-30
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
5
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث، تم وصف المخطط الطاقي للمفرق الهجين (شبه المثالي) و لأول مرة من خلال خصائص تيار جهد و سعة –جهد.
تم تصنيع المفرق الهجين من خلال ترسيب غشاء من مادة CdS بواسطة طريقة الرش الكيماوي الحراري على سليكون أحادي التبلور نوع n-.
إن النتائج العملية أوضحت أن مقدار كل من Ec و Ev كانت بحدود 530me V و 770me V على التوالي عند درجة حرارة الغرفة، و قد تم مقارنتها مع القيم النظرية.
إن قياسات سعة –جهد أوضحت أن المفرق من النوع الحاد و إن جهد البناء الداخلي قد تم تحديده من خلال العلاقة البيانية C-2 – V.
Abstract EN
Near-ideal p-CdS/n-Si heterojunction band edge lineup has been investigated for the first time with aid of I-V and C-V measurements.
The heterojunction was manufactured by deposition of CdS films prepared by chemical spray pyrolysis technique (CSP) on monocrystalline n-type silicon.
The experimental data of the conduction band offset Ec and valence band offset Ec were compared with theoretical values.
The band offset Ec=530meV and Ev=770meV obtained at 300K.
The energy band diagram of p-CdS/n-Si HJ was constructed.
C-V measurements depict that the junction was an abrupt type and the built-in voltage was determined from C-2-V plot.
American Psychological Association (APA)
Ismail, Raid Ali& al-Samirrai, Abd al-Majid Ayyadah& Sultan, Umar A. A.. 2009. Construction of anisotype CdS Si heterojunction and lineup using I-V and C-V measurements. Iraqi Journal of Physics،Vol. 7, no. 10, pp.30-34.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338447
Modern Language Association (MLA)
al-Samirrai, Abd al-Majid Ayyadah…[et al.]. Construction of anisotype CdS Si heterojunction and lineup using I-V and C-V measurements. Iraqi Journal of Physics Vol. 7, no. 10 (2009), pp.30-34.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338447
American Medical Association (AMA)
Ismail, Raid Ali& al-Samirrai, Abd al-Majid Ayyadah& Sultan, Umar A. A.. Construction of anisotype CdS Si heterojunction and lineup using I-V and C-V measurements. Iraqi Journal of Physics. 2009. Vol. 7, no. 10, pp.30-34.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-338447
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes bibliographical references : p. 33-34
Record ID
BIM-338447
