New analysis to measure the capacitance and conductance of MOS structure
Other Title(s)
تحليلات حديثة لقياس التسعة و التوصيلية في تركيبة ال (MOS)
Joint Authors
Ali, Luqman Safar
Muhammad, Waka Farman
Source
al-Rafidain Engineering Journal
Issue
Vol. 14, Issue 1 (31 Mar. 2006), pp.47-57, 11 p.
Publisher
University of Mosul College of Engineering
Publication Date
2006-03-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
11
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث تم تصنيع طبقات أغشية رقيقة متتالية من المقاومات و العوازل على طبقة أساس معينة و ذلك لبناء دائرة R-Y-NR ذات أربعة أطراف.
فإذا كانت طبقة الأساس هي السيلكون كشبه موصل و الأوكسيد SiO2 كعازل و البوابة هي طبقة مقاومة من النيكروم (NiCr) فبذلك تتكون دائرة (R-Y-NR) من تركيبة ال (MOS).
و على هذا الأساس تم تحليل هذه الدائرة و من ثم استخرجت قيم المتسعة و التوصيلية من خلال استخدام برنامج ال (MATLAB) و في ترددات مختلفة.
و للتأكد من صلاحية هذه الطريقة و صحتها فقد قورنت نتائج مستحصلة بهذه الطريقة لتراكيب معينة مع تلك التي استحصلت من جهاز ال (LCR) للقياس لنفس النماذج فكان هناك تطابقا متكاملا للنتائج في الطريقتين.
Abstract EN
In this research thin film layers have been prepared at alternate layers of resistive and dielectric deposited on appropriate substrates to form four–terminal RY NR network.
If the gate of the MOS structures deposited as a strip of resistor film like NiCr, the MOS structure can be analyzed as R-Y-NR network.
A method of analysis has been proposed to measure the shunt capacitance and the shunt conductance of certain MOS samples.
Matlab program has been used to compute shunt capacitance and shunt conductance at different frequencies.
The results computed by this method have been compared with the results obtained by LCR meter method and showed perfect coincident with each other.
American Psychological Association (APA)
Muhammad, Waka Farman& Ali, Luqman Safar. 2006. New analysis to measure the capacitance and conductance of MOS structure. al-Rafidain Engineering Journal،Vol. 14, no. 1, pp.47-57.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-348753
Modern Language Association (MLA)
Muhammad, Waka Farman& Ali, Luqman Safar. New analysis to measure the capacitance and conductance of MOS structure. al-Rafidain Engineering Journal Vol. 14, no. 1 (2006), pp.47-57.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-348753
American Medical Association (AMA)
Muhammad, Waka Farman& Ali, Luqman Safar. New analysis to measure the capacitance and conductance of MOS structure. al-Rafidain Engineering Journal. 2006. Vol. 14, no. 1, pp.47-57.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-348753
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes appendices : p. 53-57
Record ID
BIM-348753
